EUV
极紫外光刻（Extreme Ultra-violet），常称作EUV光刻，它以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术。具体为采用波长为13.4nm 的紫外线。极紫外线就是指需要通过通电激发紫外线管的K极然后放射出紫外线。
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分析 | EUV光掩膜价格居高不下，光刻机争霸赛再启高潮
近期，伴随美国加码对华为制裁的传言甚嚣尘上，围绕台积电、中芯国际、ASML等公司的动向成为国人关注的焦点。
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三星之后 SK海力士也要在内存上使用EUV光刻机：10亿一台
全球第二大DRAM内存供应商SK海力士已经在研发1a nm工艺的内存，内部代号“南极星”，具体节点大概在15nm，预计会引入EUV光刻机生产。
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ASML：因旅游限制延迟了向武汉客户交付EUV设备
中国的半导体行业面临着来自美国的巨大阻力。随着中美贸易争端的加剧，越来越多的美国厂商无法获得许可证将技术和产品出口到中国。另外，美国还开始限制向中国出口先进的制造设备。其中，荷兰领先的半导体设备制造商ASML首当其冲
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中芯国际遭ASML强行断供？失去EUV光刻机或将阻断中芯进军高端市场
中芯国际今年可能拿不到光刻机了。《日经新闻》报道称，“荷兰半导体设备供应商ASML已中止和中芯国际的合作计划，且多位ASML供应商关系人士表示，ASML此举是为了避免因供应最先进的设备给中国，而刺激到美国，只得暂时中止交货
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传三星斥资181亿元，一次性订购了15台ASML EUV光刻机
继台积电宣布将全年开支从110亿美元提升至140－150亿美元后，有消息称三星将斥资约181亿元向荷兰公司ASML购买15台EUV光刻机，用于提升7nm芯片的产能。实际上，按照三星181亿元15台EU
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光刻技术走进“死胡同”，这款新的EUV源能否来波助攻？
EUV源已达到半导体制造所需的200瓦级。然而，暴露的光致抗蚀剂的缺陷限制了当前7纳米节点的产量，并且未来的5和3纳米节点将面临更大的问题。
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