一文了解光刻机的发展
日荷争霸
在ASML推出浸入式193nm产品的前后脚,尼康也宣布自己的157nm产品以及EPL产品样机完成。然而,浸入式属于小改进大效果,产品成熟度非常高,所以几乎没有人去订尼康的新品。尼康被迫随后也宣布去做浸入式光刻机。
之前我们提到光刻领域是赢家通吃,新产品总是需要至少1-3年时间由前后道多家厂商通力磨合。别人比你早量产就比你多了时间去改善问题和提高良率。
光刻机就像印钞机,材料成本可以忽略不计,而时间就像金子一样珍贵。
半导体厂商更愿意去买成熟的ASML产品,不想去给尼康当白鼠。
这导致后面尼康的大溃败。尼康在2000年还是老大,但到了2009年ASML已经市占率近7成遥遥领先。尼康新产品的不成熟,也间接关联了大量使用其设备的日本半导体厂商的集体衰败。
佳能在光刻领域一直没争过老大。当年它的数码相机称霸世界利润很好,对一年销量只有百来台的光刻机重视不够。
佳能的思路是一款产品要卖很久,他们一看193nm尼康和ASML打得太厉害就直接撤了。直到现在佳能还在卖350nm和248nm的产品,给液晶面板以及模拟器件厂商供货。
尼康在浸入式一战败下来就彻底没有还手之力了,因为接下来EUV的开发需要投入巨资而且前景未卜,英特尔倒向ASML使得尼康失去了挑战摩尔定律的勇气。
EUV光刻机
接下来,我们再说说EUV。这个产品其实是ASML在没有竞争对手的情况下研发的,而且做了十多年到今天也没有量产。
那它背后的驱动力是什么呢?我看了一些文献,英特尔绝对是最坚定的支持者,因为它的使命之一就是让摩尔定律走下去。
早在1997年,英特尔看到挑战193nm的巨大难度,决心集合人类精英一起愚公移山,有点流浪地球的意思。他们说服了美国对高科技最开明的克林顿内阁,以公司形式发起了EUV LLC这样的一个合作组织。
这个组织由英特尔和美国能源部牵头,集合了当时还如日中天的摩托罗拉以及AMD,以及享有盛誉的美国三大国家实验室:劳伦斯利弗莫尔实验室,劳伦斯伯克利实验室和桑迪亚国家实验室,投资两亿美元集合几百位顶级科学家,从理论上验证EUV可能存在的技术问题。
英特尔还力邀ASML和尼康加入EUV LLC,因为当时美国光刻已经不太行了。但此举受到美国政府的阻挠,因为他们舍不得让外国公司分享美国最前沿技术。
最终结果是尼康被排除在外,ASML做了一堆对美国贡献的许诺后被允许加入。另外一家例外的非美国公司是英飞凌,它被允许和Micron一起加入EUV LLC。
我们回看当年各种跨越193nm的技术方案,很多公司是左右下注的,只有英特尔坚定地选了EUV,而且让它最终成为了现实。
看当年的一些回忆录,说英特尔自己并未派出多少工程师,但是列了几百项难题一直拿着小鞭子督促那些科学家不停地努力。
EUV算是软X光,穿透物体时散射吸收都非常厉害,这使得光刻机需要非常非常强的光源,这个难度是巨大的。连空气都能吸收EUV,所以机器内部还得做成真空的。
传统光刻用的很多透镜因为会吸收X光要换成反射镜,据说193nm的最新光刻机里镜头加起来就有一吨重,而这些技术都用不上了。
由于光刻精度是几纳米,EUV对光的集中度要求极高,相当于拿个手电照到月球光斑不超过一枚硬币。反射要求的镜子要求长30cm起伏不到0.3nm,这相当于是北京到上海做根铁轨起伏不超过1毫米。
所以,EUV不仅是顶级科学的研究,也是顶级精密制造的学问。
EUV的小镜子由德国蔡司生产,ASML还因此特地购买了Carl Zeiss SMT公司24.5%的股份。
1997年-2003年,6年间EUV LLC的科学家发表了几百篇论文,验证了EUV光刻机的可行性。然后EUV LLC联盟解散。
接下来留给ASML一个问题,是做还是不做呢?
好在ASML从来没有犹豫过。2006年它推出原型,2007年建造了10000平米的超级无尘室,等着接待2010年诞生的第一台研发用样机:NXE3100。
2012年,ASML请英特尔、三星和台积电入股自己,希望大家共同承担这个人类的伟大工程,因为研发投入需要每年10亿欧元。
2015年,可量产的样机发布。虽然售价高达1.2亿美元一台,但还是收到雪片一样的订单。排队等交货,都要等好几年。
一台EUV光刻机重达180吨,超过10万个零件,需要40个集装箱运输,安装调试都要超过一年时间。
明年,我们就能买到EUV加工出来的芯片做的手机了。
后记
相信在未来,人类一定可以突破光学光刻机的极限,无论用电子离子还是最终放弃硅基。但是,就在刚写完文章的现在,我只想衷心为这些伟大的公司喝彩。
需要强调的是,在半导体制造中,光刻只是其中的一个环节,另外还有无数先进科技用于前后道工艺。
正是因为他们不屈不挠的努力,才使得我们在这个一切由芯片驱动的伟大时代,享受着各种手机、电脑、家电、汽车飞机和互联网带给我们的精彩生活。
(作者:金捷幡)
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