同质外延生长
-
基于简单的支架的多片4H-SiC化学气相沉积同质外延生长
虽然在商用化学气相沉积设备中可以在一次运行中实现多片4H-SiC衬底的同质外延生长,但是必须将晶片装载到可旋转的大型基座上,这导致基座的直径随着数量或者外延晶片总面积的增加而增加。
最新活动更多 >
-
11月起立即报名>> 光电类专业2025年秋季空中双选会
-
11月28日立即报名>>> 2024工程师系列—工业电子技术在线会议
-
11月29日立即预约>> 【上海线下】设计,易如反掌—Creo 11发布巡展
-
即日-11.30免费预约申请>>> 燧石技术-红外热成像系列产品试用活动
-
11月30日立即试用>> 【有奖试用】爱德克IDEC-九大王牌安全产品
-
即日-12.5立即观看>> 松下新能源中国布局:锂一次电池新品介绍
最新招聘
更多