同质外延生长
-
-
基于简单的支架的多片4H-SiC化学气相沉积同质外延生长
虽然在商用化学气相沉积设备中可以在一次运行中实现多片4H-SiC衬底的同质外延生长,但是必须将晶片装载到可旋转的大型基座上,这导致基座的直径随着数量或者外延晶片总面积的增加而增加。
最新活动更多 >
-
4月1日立即下载>> 【村田汽车】汽车E/E架构革新中,新智能座舱挑战的解决方案
-
4日10日立即报名>> OFweek 2025(第十四届)中国机器人产业大会
-
即日-4.22立即报名>> 【在线会议】汽车腐蚀及防护的多物理场仿真
-
4月23日立即报名>> 【在线会议】研华嵌入式核心优势,以Edge AI驱动机器视觉升级
-
4月25日立即报名>> 【线下论坛】新唐科技2025新品发布会
-
限时免费试用立即申请>> 东集技术AI工业扫描枪&A10DPM工业数据采集终端
最新招聘
更多
维科号
我要发文 >