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投资七百万 极紫外线(EUV)项目启动

2012-08-07 09:29
水墨黯月
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  由ASML公司生成的第一台EUV光刻机预计明年年初交付给客户,并将于2014年开始完整的半导体晶片生产,届时将能够加工小到20nm的结构。

  但是,未来半导体产业的发展蓝图需要甚至比这还小的结构,而且Zeiss主导的项目的目标是将EUV的分辨率提高到14nm。

  光学产业巨头Carl Zeiss公司主导了一个新项目以提高极紫外线(EUV)光学系统的分辨率,改进后的结果会远远超过第一代产品的分辨率。“ETIK”项目由德国教育与研究部资助,历时三年,耗资达七百万欧元,其焦点集中在EUV系统的光学元件上,包括投影镜头上使用的镜子表面的一种全新的设计方案。

  在这个项目中,有其它六家德国的公司和研究机构与Zeiss公司进行合作。这其中包括了柏林的Bestec公司和斯图加特的IMS CHIPS公司。Bestec公司主要负责开发新一代反射仪,用来测量EUV光学系统的反射率。而IMS CHIPS公司将为投影镜头提供光学元件。

图为 EUV光刻机

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