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EUV光刻技术姗姗来迟 芯片厂商陷入两难

2012-01-31 10:11
小伊琳
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  长久以来看好可作为芯片制造业的下一大步── 超紫外光(EUV)光刻技术事实上还未能准备好成为主流技术。这意味着急于利用EUV制造技术的全球芯片制造商们正面临着一个可怕的前景──他们必须使用较以往更复杂且昂贵的技术来扩展现有的光学光刻工具,如双重曝光等。更糟的是,EUV技术的差距对于半导体制造供应链的根本经济基础构成了威胁。

  EUV技术最初是在2005年时针对生产用途所开发的,后来一直被期待用于22nm芯片制造,英特尔公司也已于去年率先启动这项技术。现在,英特尔计划扩展光学光刻技术至14nm节点,而从2015年下半年开始的10nm节点将转换至以EUV技术作为其主流生产方式。此外,三星公司也计划最快可在2013年导入EUV技术量产制造。

  但芯片制造商希望能在他们计划进行量产制造前,能够让EUV技术预先做好准备,那么他们将可先行建立芯片设计规则以及调整其制程。而今,一连串的挑战依然存在,包括开发更好的掩膜检测、维修工具以及感光度更佳的光刻胶。

  截至目前为止,推动EUV量产的最大障碍是EUV工具上的晶圆吞吐量,仍远低于可实现EUV制造所需的标准。造成吞吐量受限的原因则是由于缺乏能够提供所需功率与可靠性的EUV光源。

  “我认为EUV光源显然无法在未来几年内准备好所需的功率与可靠性,”凸版印刷(Toppan Photomask)公司技术长Franklin Kalk表示,“随着第一款生产工具计划迟至2012年晚期推出,生产整合需在那之后才能进行,想要在2013年量产EUV技术预计是难以达到的目标。”

  KLA-Tencor公司副总裁兼总经理Brian Haas在去年9月举行的一场业界会议中表示,在周遭不断充斥着对于吞吐量的质疑,过去将EUV技术视为次世代光刻主导技术的看法已经改变了。其它一度被认为是利基型的技术,如纳米压印光刻技术,最终可能在某些设备应用上扮演着更主流的角色。

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