侵权投诉
订阅
纠错
加入自媒体

台积电将极紫外光刻技术纳入光刻线路图

2008-05-05 11:48
龙凰
关注

    日前,台积电(TSMC)在其2008年技术论坛会议上,简要描述了该公司光刻线路图(Lithography Roadmap),作为计划的一部分,TSMC对极紫外光刻技术进行了新的评估,并将其纳入光刻线路图。

    目前,对于45纳米节点工艺的有限量产,TSMC采用193nm的浸没式光刻技术,光刻系统的数值孔径NA为1.2。TSMC表示,该光刻机来自其主要光刻合作伙伴ASML。

    采用NA为1.35的193nm浸没式光刻机,配以双重图形技术,TSMC认为可以将晶圆工艺延伸至32nm节点,甚至可达22nm节点。该公司计划于2009年晚些时候进入32nm量产,而22nm暂定于2011年。

    对于15nm或22nm技术节点,TSMC同时将EUV和无掩膜光刻技术纳入其线路图。几年前,TSMC已经对无掩膜光刻产生兴趣,并于最近从Mapper Lithography公司购入了相关设备。

    但目前为止,TSMC对于EUV光刻技术表现的相当冷淡。就像其他芯片制造商一样,该公司同样对EUV的绝对成本和技术障碍表示担心。该公司的光刻合作伙伴ASML希望,于2009年末发货一套试生产的EUV设备。

(编辑:文静)

 

声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

发表评论

0条评论,0人参与

请输入评论内容...

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

文章纠错
x
*文字标题:
*纠错内容:
联系邮箱:
*验 证 码:

粤公网安备 44030502002758号