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中美合作:光电子记忆材料

导读: 雷表示这种光电子记忆材料可能是捕捉图像的二维电子元件的重要组成部分。“传统的电荷耦合器件厚重且坚硬,将它们与二维元素相结合是没有意义的。”

  OFweek光学网:这项研究得到了陆军研究办公室多学科大学研究倡议、半导体技术先进研究网络功能加速纳米材料工程分部、微电子先进研究协会、国防高级研究计划局、荷兰科学研究组织、罗伯特A.韦尔奇基金会、国家安全科学与工程学院奖学金和海军研究办公室的资金支持。重视程度可见一斑,外行看热闹,内行看门道……

  美国莱斯大学研发的一个原子级薄的材料,这或可能导致研发目前最薄的成像平台。基于金属硫族化合物的合成二维材料可能是超薄设备的基础,莱斯大学的研究人员这样表示。其中一个这样的材料二硫化钼,因其检测光的特性而被广泛研究,但是铜铟硒化物(CIS)也表现出同样非凡的潜力。

  莱斯大学材料学科学家普利克尔·阿加延(PulickelAjayan)实验室的研究生雷思东(SidongLei)合成了CIS,一种单层铜、铟和硒原子矩阵。雷还建立了一个模型——一个三像素电荷耦合器件(CCD)——以证明材料捕捉图像的能力。这项研究被发表在美国化学协会的期刊《纳米快报》上。

  美研发原子厚度新材料或助研发超薄器件

  雷表示这种光电子记忆材料可能是捕捉图像的二维电子元件的重要组成部分。“传统的电荷耦合器件厚重且坚硬,将它们与二维元素相结合是没有意义的。”雷解释道。“而基于铜铟硒化物的电荷耦合器件非常薄、透明和灵活,这正是二维成像器件所缺失的。”

  当光照射到材料上,这一器件可以围困形成的原子,并一直保留它们直到它们被释放用于存储目的。铜铟硒化物对光高度敏感,因为被围困的电子会缓慢消散,莱斯大学材料科学和纳米工程学院的研究员罗伯特·沃伊塔伊(RobertVajtai)这样解释道。“感知光的二维材料有很多,但没有一种能够如此高效。这种新材料比我们之前见过最好的材料高效10倍。”

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