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新类CCD图像传感器推出 重新定义微光成像性能

导读: 2014年11月4日,安森美半导体(ONSemiconductor)推出新类的电荷耦合器件(CCD)图像传感器技术,为工业市场的微光成像树立新的基准。

  2014年11月4日,安森美半导体(ONSemiconductor)推出新类的电荷耦合器件(CCD)图像传感器技术,为工业市场的微光成像树立新的基准。

  这新技术结合安森美半导体领先业界的行间转移(InterlineTransfer,IT)CCD像素设计及新开发的电子倍增(ElectronMultiplication,EM)输出结构,使图像传感器方案能够提供亚电子(sub-electron)噪声性能及CCD级图像品质和均匀性,用于极微光成像。KAE-02150是首款采用新技术的图像传感器,能在日光到星光、高光到背光等差异很大的光照条件下捕获1080p(1920x1080)视频,因而大幅拓展单摄像头成像系统的成像能力。这在极缺乏光照的应用中尤为有用,如监控、防卫/军事、科学及医疗成像、智能交通系统。

  安森美半导体图像传感器业务部副总裁ChrisMcNiffe说:“KAE-02150图像传感器是我们首款充分利用新的行间转移EMCCD技术的器件,为业界提供了一款革命性的方案。CCD器件的优异图像品质及均匀性扩展至极微光条件,使工业市场的客户能在最有难度成像条件下获得全新的性能水平。这明显展示了安森美半导体独一无二的能力,能充分利用公司不断扩增的成像技术,为客户提供最先进的成像方案。”

  KAE-02150采用创新的输出电路设计,用于同一图像内以逐一像素为基础利用传统CCD(低增益)或EMCCD(高增益)输出,支持高动态范围(HDR)成像。各个单独像素的电荷被测量,信号电平与拍照系统中用户可选择的阈值比较,以确定各个电荷包(packet)的路由位置。场景中极微光照区域的像素可以选择性地路由至EMCCD输出,而图像中明亮区域的像素(通常可能会使EMCCD寄存器饱和及使图像失真),会路由至传统CCD输出放大器。有了这种场景内可切换增益特性,两种输出的信号因而可以重新组合,使单个摄像头能够恰当地在暗视场中呈现明亮的区域,能够提供变化光照条件下的动态补偿,如前照灯进入或离开微光的场景。

  新的KAE系列器件基于TRUESENSE5.5微米IT-CCD平台已证明行之有效的性能。这IT-CCD平台带有全局快门、优异图像均匀性、高调制传递函数(MTF),用于当今100万像素至2,900万像素的宽广阵容器件。KAE系列将会扩充,加入额外的光学格式、分辨率及像素大小。

  KAE-02150现已提供样品,具备单色及拜耳色彩配置。2014年底前还将提供包含硬件及软件的评估套件,使客户能够针对他们特定应用鉴定这新器件的性能。

  KAE-02150图像传感器将于2014年11月4日至6日在德国斯图加特2014VISION展览会上的安森美半导体展位(1C82)上展示。

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