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图文详解硅光子技术制造细薄膜的LED阵列

导读: 硅光子技术有一个特定的吸引力是为来自于”超越穆尔”技术。许多的研究已被用来发展硅光子技术。于硅光子技术上的关键之一为整合光装置与硅装置

  较高的密度单一石英细薄膜光射二极管(LED)数组已被研究。连结的附生细薄膜(epi薄膜)LED约薄为2μm已被建构于CMOS IC驱动器上,以及其它相异的原料基座是透过分子内力(“附生细薄膜连结(EFB)”技术)。此一附生细薄膜LED数组提供足够好的特性以供应LED印头(小的可变之射极光功率(<±5%),以及长生命周期(>1000h))。制造测试于2维(2D)附生细薄膜的LED数组;显示2D的1200dpi附生细薄膜LED数组(一个小的光射范围为10μmx10μm,以及一个良好的数组强度为21.2μm)建构好的效能以显示其特性。

连结的1200dpi附生细薄膜LED数组于类钻石的碳(DLC)细薄膜是具有高热流 传导于第一时间内被测试。测试结果显示好的链接之小的附生细薄膜(10μmx10μm)于DLC细薄膜是可以被建构。LED数组被链接于DLC细薄膜形状于硅基座上显示较高的热流传导特性;初步评估LED的温度建议约为50℃甚至于一十分高的20kA/cm2 LED电流密度。 

于近几年,硅光子技术有一个特定的吸引力是为来自于”超越穆尔”技术。许多的研究已被用来发展硅光子技术。于硅光子技术上的关键之一为整合光装置与硅装置。整合的光装置以及硅装置被许多的方法所研究,如使用硅的光射装置,化合物半导体长成于硅,以及晶圆连结等。这些技术均是为了装置整合,半导体细薄膜连结看似吸引特别为整合相异的原料装置。 

至今半导体细薄膜连结的先导工作,许多的研究室早已研究将半导体细薄膜连结以整合到相异的原料装置。但并无应用于很成功的产品已被半导体细薄膜连结。难于掌控半导体细薄膜使不具有任何的瑕疵,尤其是于晶圆层,看似一个大的理由为何有些实验室尝试应用半导体细薄膜链接于装置产品。建构高可靠的链接细薄膜装置已成为一个迫切的问题。

半导体细薄膜连结具有一个大优点将提供更多可变的抉择以整合装置原料组合胜于化合物半导体长成于硅。未匹配的原料特性以及装置过程限制化合物半导体长成于硅于相异的原料装置整合的应用。它将有可能来整合装置,它可以被分开制造于最好的制造过程中,当半导体细薄膜连结被应用。此也将引导高效能以及高可靠的被整合装置。它的另一优点是使用半导体细薄膜连结,此为平面的线结构被照相平版印刷形状以连接到整合的装置。金属细薄膜线可以被形状覆盖于边缘区域的链接细薄膜装置。其线结构将导致更多的压缩以及被整合高密度的装置,相较于表面芯片固定结构使用晶粒链接,线链接以及翻转的芯片的链接。平面的线结构排除大的连接印台。将会产生降低装置尺寸以及增加装置的整合密度的结果。

 

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